南京大學教授，博士生導師，國家杰出青年科學基金獲得者，長江學者特聘教授，萬人計劃專家，國家重點研發計劃項目首席科學家。

于1996年和1999年在南京大學物理系獲學士、碩士學位；于2003年在美國康奈爾大學（Cornell University）電子與計算機工程系獲博士學位，師從美國工程院院士Lester Eastman教授；在康奈爾大學獲得博士學位后，于2004年，受聘于美國通用電氣公司（GE）研發中心任高級研究員；于2006年9月歸國任教于南京大學物理系及電子科學與工程學院，現任南京大學特聘教授，兼任南京微結構國家實驗室（籌）主任研究員（PI）。    

主要從事寬禁帶半導體材料和器件研究，取得了多項有國際影響力的成果：制備了世界上電學特性最好的InN單晶薄膜（保持6年世界紀錄），首先生長出p型、a面及立方相等新型InN材料，為三十余家國際權威研究機構提供了標準InN及富In氮化物樣品；聯合改寫和修正了多項III族氮化物半導體材料體系的基本參數，包括InN 0.7eV窄禁帶寬度的重大發現，藉此將Ⅲ族氮化物半導體的應用領域推廣到近紅外光學波段，大大拓寬了Ⅲ族氮化物半導體的研究與應用范疇；首先發現InN表面強電荷聚集效應，藉此研制出InN表面化學傳感器、InN THz發射源，獲《Nature》雜志專文報道；聯合提出InGaN全光譜多異質結太陽能電池的概念和結構。   

近年來重點開展GaN基高功率電子器件、深紫外探測器件、及新型氧化物透明薄膜晶體管研究，致力于將半導體基礎研究成果推廣到器件應用領域：通過發展GaN同質外延生長技術，大幅度提高了GaN半導體的晶體質量，藉此研制出高擊穿電壓GaN肖特基整流器、及高增益GaN紫外雪崩光電探測器，多次獲得國際主流半導體技術媒體跟蹤報道；兩次刷新GaN基霍爾傳感器最高穩定工作溫度的世界紀錄；研制出現有暗電流密度最低和芯片尺寸最大的AlGaN基日盲深紫外探測器，并帶領南京大學團隊在國內首先實現了高靈敏度GaN基紫外探測器的產業化；在國內首先實現SiC紫外單光子探測器；研究和澄清了GaN基功率器件和發光二極管的幾個基礎器件物理問題，發展了多種新型的器件測試表征方法。   

迄今已發表學術論文三百余篇，其中包括SCI論文230余篇；所發表文章獲SCI他人引用10000余篇次（截止到2015年12月）；其代表工作被國外同行在綜述文章上稱為“Major breakthrough (重大突破)”；已獲得13項中國發明專利和1項美國發明專利授權；入選科技部創新人才推進計劃、教育部新世紀人才計劃、江蘇省333人才培養計劃；曾獲江蘇省五四青年獎章（2013）、江蘇省十大青年科技之星（2014）、教育部技術發明一等獎（2015）、國家技術發明二等獎（2016）。