中科院半導體所研究員，博士生導師，中國科學院半導體照明研發中心主任，中科潞安半導體研究院院長。1998年獲得西北大學物理學學士學位，2003年獲得中國科學院半導體研究所工學博士學位，自2003年至今在中國科學院半導體研究所工作。 從事氮化物材料生長和器件研制工作八年，熟悉MOCVD 、MBE和HVPE生長設備和相關材料分析表征方法。使用國產NH3-MBE生長設備，獲得了具有當時國際水平的高遷移率GaN外延片；做為骨干科研人員，所在小組研制成功了壓電極化效應誘導的高質量AlGaN/GaN二維電子氣結構材料，并用所研制的材料與信息產業部第十三研究所合作研制出了我國第一只氮化物高溫HEMT器件；負責自主設計并制備了一臺HVPE厚膜GaN材料生長設備，獲得了厚膜GaN材料生長速率超過了每小時200μm，晶體質量位于國內領先水平；在“十一五”期間，負責氮化物MOCVD材料生長研究，主要方向為GaN基LED材料生長研究和紫外LED材料生長研究。 

目前主要研究方向： 氮化物材料的MOCVD生長研究、深紫外LED用氮化物材料生長研究及LED器件制備。