西安交通大學電子與信息工程學院教授。從事寬禁帶半導體材料和器件研究。復旦大學物理系固體物理專業本科畢業。中科院物理電子學專業理學博士，清華大學電子工程系博士后。
研究領域（方向）：高效全光譜照明級半導體LED核心技術和工業化技術研究；寬禁帶化合物半導體光電器件的外延結構設計、材料生長和物理表征；半導體器件納米工藝和封裝技術的研究。
承擔多項國家863計劃項目課題，國家自然科學基金，國家重點研發計劃項目課題，以及與企業的橫向研發課題。從事III-V族氮化物半導體材料和器件的基礎應用研究。在材料物性、MOCVD生長技術、器件設計及封裝工藝等基礎領域做出了大量奠基性的工作，并在該領域取得多項國際公認的突破性的學術成就，同時也在化合物半導體材料MOCVD生長及器件工藝以及材料和器件的表征方面取得了很高的造詣。例如在MOCVD生長過程中引入多層納米結構以提高晶體質量，對GaN 材料極性和壓電效應的關系研究，以及AlGaN合金材料的能帶非線性系數的研究，相關論文被國際同行多次他引并高度評價。對MOCVD及MBE生長技術及關鍵設備亦有深入的實踐經驗。對包括發光二極管（LED）在內的光電器件設計優化有豐富的積累。在國際權威期刊和國際學術會議發表著述百余篇，并在氮化鎵材料和LED器件領域擁有關鍵知識產權的專有技術和專利。
