沈波，男，1963年生，江蘇揚州市人，北京大學理學部副主任、寬禁帶半導體研究中心主任、物理學院長江特聘教授、國家杰出青年基金獲得者、基金委創新研究群體帶頭人，國家973計劃項目首席科學家、國家863計劃“半導體照明”重點專項總體專家組成員、國家863計劃“第三代半導體”重點專項總體專家組組長、國家“戰略性先進電子材料”重點專項總體專家組成員，享受國務院特殊津貼。先后在南京大學、中國科技大學和日本東北大學獲得學士、碩士和博士學位。曾任日本東京大學產業技術研究所研究員，東京大學先端科技研究中心、千葉大學電子學與光子學研究中心客座教授、日本產業技術綜合研究所訪問教授。

     1995年迄今一直從事III族氮化物（又稱GaN基）寬禁帶半導體材料、物理和器件研究，在GaN基量子結構的MOCVD外延生長、強極化/高能帶階躍半導體二維電子氣輸運性質、 寬禁帶半導體缺陷物理、GaN基微波射頻器件和功率電子器件、AlGaN基深紫外發光材料和器件等方面取得了在國內外同行中有一定影響的研究成果。先后主持和和作為核心成員參加國家973計劃、863計劃和自然科學基金重點項目等20多項國家級科研課題，先后與華為、京東方、彩虹集團、廣東光大集團和中國電科13所、55所等企業開展了一系列科研合作。迄今發表學術論文300多篇，論文被引用4000多次，獲得/申請國家發明專利50多件，在國內外學術會議做大會和分會邀請報告20多次， 多次擔任國際學術會議顧問委員會、程序委員會、組織委員會主席和委員，先后獲國家技術發明二等獎、國家自然科學二等獎、江蘇省科技進步一等獎和教育部科技進步一等獎。部分研究成果實現了產業化應用，并產生了顯著的經濟和社會效益。